Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX RFG MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TSM650P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Číslo dílu

TSM650P02CX RFG

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-23

Ztráta energie (max.)

1.56W (Tc)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

4.1A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

65 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4.5V

VGS (max.)

±10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 52388 PCS

Kontaktní informace

Související produkty