Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
Číslo dílu
TSM80N1R2CH C5G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251 (IPAK)
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
685pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25800 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM80N1R2CH C5G
TSM80N1R2CH C5G Elektronické komponenty
TSM80N1R2CH C5G Odbyt
TSM80N1R2CH C5G Dodavatel
TSM80N1R2CH C5G Distributor
TSM80N1R2CH C5G Datová tabulka
TSM80N1R2CH C5G Fotky
TSM80N1R2CH C5G Cena
TSM80N1R2CH C5G Nabídka
TSM80N1R2CH C5G Nejnižší cena
TSM80N1R2CH C5G Vyhledávání
TSM80N1R2CH C5G Nákup
TSM80N1R2CH C5G Chip