Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Číslo dílu
2SK1119(F)
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7573 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova 2SK1119(F)
2SK1119(F) Elektronické komponenty
2SK1119(F) Odbyt
2SK1119(F) Dodavatel
2SK1119(F) Distributor
2SK1119(F) Datová tabulka
2SK1119(F) Fotky
2SK1119(F) Cena
2SK1119(F) Nabídka
2SK1119(F) Nejnižší cena
2SK1119(F) Vyhledávání
2SK1119(F) Nákup
2SK1119(F) Chip