Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK100E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Číslo dílu
TK100E08N1,S1X
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
255W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19469 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK100E08N1,S1X
TK100E08N1,S1X Elektronické komponenty
TK100E08N1,S1X Odbyt
TK100E08N1,S1X Dodavatel
TK100E08N1,S1X Distributor
TK100E08N1,S1X Datová tabulka
TK100E08N1,S1X Fotky
TK100E08N1,S1X Cena
TK100E08N1,S1X Nabídka
TK100E08N1,S1X Nejnižší cena
TK100E08N1,S1X Vyhledávání
TK100E08N1,S1X Nákup
TK100E08N1,S1X Chip