Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Číslo dílu
TK10J80E,S1E
Výrobce/značka
Série
π-MOSVIII
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P(N)
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48328 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK10J80E,S1E
TK10J80E,S1E Elektronické komponenty
TK10J80E,S1E Odbyt
TK10J80E,S1E Dodavatel
TK10J80E,S1E Distributor
TK10J80E,S1E Datová tabulka
TK10J80E,S1E Fotky
TK10J80E,S1E Cena
TK10J80E,S1E Nabídka
TK10J80E,S1E Nejnižší cena
TK10J80E,S1E Vyhledávání
TK10J80E,S1E Nákup
TK10J80E,S1E Chip