TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Číslo dílu
TK10P60W,RVQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49078 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK10P60W,RVQ
TK10P60W,RVQ Elektronické komponenty
TK10P60W,RVQ Odbyt
TK10P60W,RVQ Dodavatel
TK10P60W,RVQ Distributor
TK10P60W,RVQ Datová tabulka
TK10P60W,RVQ Fotky
TK10P60W,RVQ Cena
TK10P60W,RVQ Nabídka
TK10P60W,RVQ Nejnižší cena
TK10P60W,RVQ Vyhledávání
TK10P60W,RVQ Nákup
TK10P60W,RVQ Chip