Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Číslo dílu
TK10V60W,LVQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-VSFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
4-DFN-EP (8x8)
Ztráta energie (max.)
88.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18127 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK10V60W,LVQ
TK10V60W,LVQ Elektronické komponenty
TK10V60W,LVQ Odbyt
TK10V60W,LVQ Dodavatel
TK10V60W,LVQ Distributor
TK10V60W,LVQ Datová tabulka
TK10V60W,LVQ Fotky
TK10V60W,LVQ Cena
TK10V60W,LVQ Nabídka
TK10V60W,LVQ Nejnižší cena
TK10V60W,LVQ Vyhledávání
TK10V60W,LVQ Nákup
TK10V60W,LVQ Chip