Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK12A50E,S4X

TK12A50E,S4X

MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Číslo dílu
TK12A50E,S4X
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220SIS
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52740 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK12A50E,S4X
TK12A50E,S4X Elektronické komponenty
TK12A50E,S4X Odbyt
TK12A50E,S4X Dodavatel
TK12A50E,S4X Distributor
TK12A50E,S4X Datová tabulka
TK12A50E,S4X Fotky
TK12A50E,S4X Cena
TK12A50E,S4X Nabídka
TK12A50E,S4X Nejnižší cena
TK12A50E,S4X Vyhledávání
TK12A50E,S4X Nákup
TK12A50E,S4X Chip