Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Číslo dílu
TK12E60W,S1VX
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9010 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK12E60W,S1VX
TK12E60W,S1VX Elektronické komponenty
TK12E60W,S1VX Odbyt
TK12E60W,S1VX Dodavatel
TK12E60W,S1VX Distributor
TK12E60W,S1VX Datová tabulka
TK12E60W,S1VX Fotky
TK12E60W,S1VX Cena
TK12E60W,S1VX Nabídka
TK12E60W,S1VX Nejnižší cena
TK12E60W,S1VX Vyhledávání
TK12E60W,S1VX Nákup
TK12E60W,S1VX Chip