Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Číslo dílu
TK12E80W,S1X
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 570µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22952 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X Elektronické komponenty
TK12E80W,S1X Odbyt
TK12E80W,S1X Dodavatel
TK12E80W,S1X Distributor
TK12E80W,S1X Datová tabulka
TK12E80W,S1X Fotky
TK12E80W,S1X Cena
TK12E80W,S1X Nabídka
TK12E80W,S1X Nejnižší cena
TK12E80W,S1X Vyhledávání
TK12E80W,S1X Nákup
TK12E80W,S1X Chip