Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK14C65W,S1Q

TK14C65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Číslo dílu
TK14C65W,S1Q
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9211 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK14C65W,S1Q
TK14C65W,S1Q Elektronické komponenty
TK14C65W,S1Q Odbyt
TK14C65W,S1Q Dodavatel
TK14C65W,S1Q Distributor
TK14C65W,S1Q Datová tabulka
TK14C65W,S1Q Fotky
TK14C65W,S1Q Cena
TK14C65W,S1Q Nabídka
TK14C65W,S1Q Nejnižší cena
TK14C65W,S1Q Vyhledávání
TK14C65W,S1Q Nákup
TK14C65W,S1Q Chip