Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK14G65W,RQ

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Číslo dílu
TK14G65W,RQ
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21403 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ Elektronické komponenty
TK14G65W,RQ Odbyt
TK14G65W,RQ Dodavatel
TK14G65W,RQ Distributor
TK14G65W,RQ Datová tabulka
TK14G65W,RQ Fotky
TK14G65W,RQ Cena
TK14G65W,RQ Nabídka
TK14G65W,RQ Nejnižší cena
TK14G65W,RQ Vyhledávání
TK14G65W,RQ Nákup
TK14G65W,RQ Chip