Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK160F10N1L,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Číslo dílu
TK160F10N1L,LQ
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220SM(W)
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10100pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22416 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK160F10N1L,LQ
TK160F10N1L,LQ Elektronické komponenty
TK160F10N1L,LQ Odbyt
TK160F10N1L,LQ Dodavatel
TK160F10N1L,LQ Distributor
TK160F10N1L,LQ Datová tabulka
TK160F10N1L,LQ Fotky
TK160F10N1L,LQ Cena
TK160F10N1L,LQ Nabídka
TK160F10N1L,LQ Nejnižší cena
TK160F10N1L,LQ Vyhledávání
TK160F10N1L,LQ Nákup
TK160F10N1L,LQ Chip