Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK16C60W,S1VQ

TK16C60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
Číslo dílu
TK16C60W,S1VQ
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54124 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK16C60W,S1VQ
TK16C60W,S1VQ Elektronické komponenty
TK16C60W,S1VQ Odbyt
TK16C60W,S1VQ Dodavatel
TK16C60W,S1VQ Distributor
TK16C60W,S1VQ Datová tabulka
TK16C60W,S1VQ Fotky
TK16C60W,S1VQ Cena
TK16C60W,S1VQ Nabídka
TK16C60W,S1VQ Nejnižší cena
TK16C60W,S1VQ Vyhledávání
TK16C60W,S1VQ Nákup
TK16C60W,S1VQ Chip