Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK17E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Číslo dílu
TK17E65W,S1X
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 900µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18117 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK17E65W,S1X
TK17E65W,S1X Elektronické komponenty
TK17E65W,S1X Odbyt
TK17E65W,S1X Dodavatel
TK17E65W,S1X Distributor
TK17E65W,S1X Datová tabulka
TK17E65W,S1X Fotky
TK17E65W,S1X Cena
TK17E65W,S1X Nabídka
TK17E65W,S1X Nejnižší cena
TK17E65W,S1X Vyhledávání
TK17E65W,S1X Nákup
TK17E65W,S1X Chip