Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK1K2A60F,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Číslo dílu
TK1K2A60F,S4X
Výrobce/značka
Série
U-MOSIX
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220SIS
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 630µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32606 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK1K2A60F,S4X
TK1K2A60F,S4X Elektronické komponenty
TK1K2A60F,S4X Odbyt
TK1K2A60F,S4X Dodavatel
TK1K2A60F,S4X Distributor
TK1K2A60F,S4X Datová tabulka
TK1K2A60F,S4X Fotky
TK1K2A60F,S4X Cena
TK1K2A60F,S4X Nabídka
TK1K2A60F,S4X Nejnižší cena
TK1K2A60F,S4X Vyhledávání
TK1K2A60F,S4X Nákup
TK1K2A60F,S4X Chip