Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK20E60W,S1VX

TK20E60W,S1VX

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Číslo dílu
TK20E60W,S1VX
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35907 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK20E60W,S1VX
TK20E60W,S1VX Elektronické komponenty
TK20E60W,S1VX Odbyt
TK20E60W,S1VX Dodavatel
TK20E60W,S1VX Distributor
TK20E60W,S1VX Datová tabulka
TK20E60W,S1VX Fotky
TK20E60W,S1VX Cena
TK20E60W,S1VX Nabídka
TK20E60W,S1VX Nejnižší cena
TK20E60W,S1VX Vyhledávání
TK20E60W,S1VX Nákup
TK20E60W,S1VX Chip