Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK22E10N1,S1X

TK22E10N1,S1X

MOSFET N CH 100V 52A TO220
Číslo dílu
TK22E10N1,S1X
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6213 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK22E10N1,S1X
TK22E10N1,S1X Elektronické komponenty
TK22E10N1,S1X Odbyt
TK22E10N1,S1X Dodavatel
TK22E10N1,S1X Distributor
TK22E10N1,S1X Datová tabulka
TK22E10N1,S1X Fotky
TK22E10N1,S1X Cena
TK22E10N1,S1X Nabídka
TK22E10N1,S1X Nejnižší cena
TK22E10N1,S1X Vyhledávání
TK22E10N1,S1X Nákup
TK22E10N1,S1X Chip