Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK2Q60D(Q)

TK2Q60D(Q)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Číslo dílu
TK2Q60D(Q)
Série
π-MOSVII
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PW-MOLD2
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40205 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK2Q60D(Q)
TK2Q60D(Q) Elektronické komponenty
TK2Q60D(Q) Odbyt
TK2Q60D(Q) Dodavatel
TK2Q60D(Q) Distributor
TK2Q60D(Q) Datová tabulka
TK2Q60D(Q) Fotky
TK2Q60D(Q) Cena
TK2Q60D(Q) Nabídka
TK2Q60D(Q) Nejnižší cena
TK2Q60D(Q) Vyhledávání
TK2Q60D(Q) Nákup
TK2Q60D(Q) Chip