Koupit Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA(STA4,QM) MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Číslo dílu

TK3A65DA(STA4,QM)

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVII

Stav sekce

Active

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-220-3 Full Pack

Dodavatelský balíček zařízení

TO-220SIS

Ztráta energie (max.)

35W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

650V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2.51 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 13848 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

TK3A60DA(Q,M)