Koupit Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

TK4R4P06PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Číslo dílu

TK4R4P06PL,RQ

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX-H

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

175°C

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Dodavatelský balíček zařízení

DPAK

Ztráta energie (max.)

87W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

4.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 30V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 38223 PCS

Kontaktní informace

Související produkty