Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Číslo dílu
TK65G10N1,RQ
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12685 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK65G10N1,RQ
TK65G10N1,RQ Elektronické komponenty
TK65G10N1,RQ Odbyt
TK65G10N1,RQ Dodavatel
TK65G10N1,RQ Distributor
TK65G10N1,RQ Datová tabulka
TK65G10N1,RQ Fotky
TK65G10N1,RQ Cena
TK65G10N1,RQ Nabídka
TK65G10N1,RQ Nejnižší cena
TK65G10N1,RQ Vyhledávání
TK65G10N1,RQ Nákup
TK65G10N1,RQ Chip