TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Číslo dílu
TK6P65W,RQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27153 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ Elektronické komponenty
TK6P65W,RQ Odbyt
TK6P65W,RQ Dodavatel
TK6P65W,RQ Distributor
TK6P65W,RQ Datová tabulka
TK6P65W,RQ Fotky
TK6P65W,RQ Cena
TK6P65W,RQ Nabídka
TK6P65W,RQ Nejnižší cena
TK6P65W,RQ Vyhledávání
TK6P65W,RQ Nákup
TK6P65W,RQ Chip