Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
Číslo dílu
TK6Q60W,S1VQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32098 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK6Q60W,S1VQ
TK6Q60W,S1VQ Elektronické komponenty
TK6Q60W,S1VQ Odbyt
TK6Q60W,S1VQ Dodavatel
TK6Q60W,S1VQ Distributor
TK6Q60W,S1VQ Datová tabulka
TK6Q60W,S1VQ Fotky
TK6Q60W,S1VQ Cena
TK6Q60W,S1VQ Nabídka
TK6Q60W,S1VQ Nejnižší cena
TK6Q60W,S1VQ Vyhledávání
TK6Q60W,S1VQ Nákup
TK6Q60W,S1VQ Chip