Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK7Q60W,S1VQ

TK7Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
Číslo dílu
TK7Q60W,S1VQ
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 350µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22040 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK7Q60W,S1VQ
TK7Q60W,S1VQ Elektronické komponenty
TK7Q60W,S1VQ Odbyt
TK7Q60W,S1VQ Dodavatel
TK7Q60W,S1VQ Distributor
TK7Q60W,S1VQ Datová tabulka
TK7Q60W,S1VQ Fotky
TK7Q60W,S1VQ Cena
TK7Q60W,S1VQ Nabídka
TK7Q60W,S1VQ Nejnižší cena
TK7Q60W,S1VQ Vyhledávání
TK7Q60W,S1VQ Nákup
TK7Q60W,S1VQ Chip