Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Číslo dílu
TK7S10N1Z,LQ
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK+
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26024 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK7S10N1Z,LQ
TK7S10N1Z,LQ Elektronické komponenty
TK7S10N1Z,LQ Odbyt
TK7S10N1Z,LQ Dodavatel
TK7S10N1Z,LQ Distributor
TK7S10N1Z,LQ Datová tabulka
TK7S10N1Z,LQ Fotky
TK7S10N1Z,LQ Cena
TK7S10N1Z,LQ Nabídka
TK7S10N1Z,LQ Nejnižší cena
TK7S10N1Z,LQ Vyhledávání
TK7S10N1Z,LQ Nákup
TK7S10N1Z,LQ Chip