Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK8P60W,RVQ

TK8P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Číslo dílu
TK8P60W,RVQ
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 400µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27970 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK8P60W,RVQ
TK8P60W,RVQ Elektronické komponenty
TK8P60W,RVQ Odbyt
TK8P60W,RVQ Dodavatel
TK8P60W,RVQ Distributor
TK8P60W,RVQ Datová tabulka
TK8P60W,RVQ Fotky
TK8P60W,RVQ Cena
TK8P60W,RVQ Nabídka
TK8P60W,RVQ Nejnižší cena
TK8P60W,RVQ Vyhledávání
TK8P60W,RVQ Nákup
TK8P60W,RVQ Chip