Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
Číslo dílu
TK8Q60W,S1VQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 400µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK8Q60W,S1VQ
TK8Q60W,S1VQ Elektronické komponenty
TK8Q60W,S1VQ Odbyt
TK8Q60W,S1VQ Dodavatel
TK8Q60W,S1VQ Distributor
TK8Q60W,S1VQ Datová tabulka
TK8Q60W,S1VQ Fotky
TK8Q60W,S1VQ Cena
TK8Q60W,S1VQ Nabídka
TK8Q60W,S1VQ Nejnižší cena
TK8Q60W,S1VQ Vyhledávání
TK8Q60W,S1VQ Nákup
TK8Q60W,S1VQ Chip