TK90S06N1L,LQ
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Číslo dílu
TK90S06N1L,LQ
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252-3
Ztráta energie (max.)
157W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26068 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK90S06N1L,LQ
TK90S06N1L,LQ Elektronické komponenty
TK90S06N1L,LQ Odbyt
TK90S06N1L,LQ Dodavatel
TK90S06N1L,LQ Distributor
TK90S06N1L,LQ Datová tabulka
TK90S06N1L,LQ Fotky
TK90S06N1L,LQ Cena
TK90S06N1L,LQ Nabídka
TK90S06N1L,LQ Nejnižší cena
TK90S06N1L,LQ Vyhledávání
TK90S06N1L,LQ Nákup
TK90S06N1L,LQ Chip