Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK9A90E,S4X

TK9A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Číslo dílu
TK9A90E,S4X
Série
π-MOSVIII
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220SIS
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8394 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK9A90E,S4X
TK9A90E,S4X Elektronické komponenty
TK9A90E,S4X Odbyt
TK9A90E,S4X Dodavatel
TK9A90E,S4X Distributor
TK9A90E,S4X Datová tabulka
TK9A90E,S4X Fotky
TK9A90E,S4X Cena
TK9A90E,S4X Nabídka
TK9A90E,S4X Nejnižší cena
TK9A90E,S4X Vyhledávání
TK9A90E,S4X Nákup
TK9A90E,S4X Chip