TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Číslo dílu
TK9P65W,RQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19478 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK9P65W,RQ
TK9P65W,RQ Elektronické komponenty
TK9P65W,RQ Odbyt
TK9P65W,RQ Dodavatel
TK9P65W,RQ Distributor
TK9P65W,RQ Datová tabulka
TK9P65W,RQ Fotky
TK9P65W,RQ Cena
TK9P65W,RQ Nabídka
TK9P65W,RQ Nejnižší cena
TK9P65W,RQ Vyhledávání
TK9P65W,RQ Nákup
TK9P65W,RQ Chip