TPH1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Číslo dílu
TPH1110ENH,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOP Advance (5x5)
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29605 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH1110ENH,L1Q
TPH1110ENH,L1Q Elektronické komponenty
TPH1110ENH,L1Q Odbyt
TPH1110ENH,L1Q Dodavatel
TPH1110ENH,L1Q Distributor
TPH1110ENH,L1Q Datová tabulka
TPH1110ENH,L1Q Fotky
TPH1110ENH,L1Q Cena
TPH1110ENH,L1Q Nabídka
TPH1110ENH,L1Q Nejnižší cena
TPH1110ENH,L1Q Vyhledávání
TPH1110ENH,L1Q Nákup
TPH1110ENH,L1Q Chip