TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Číslo dílu
TPH2900ENH,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOP Advance (5x5)
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49639 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH2900ENH,L1Q
TPH2900ENH,L1Q Elektronické komponenty
TPH2900ENH,L1Q Odbyt
TPH2900ENH,L1Q Dodavatel
TPH2900ENH,L1Q Distributor
TPH2900ENH,L1Q Datová tabulka
TPH2900ENH,L1Q Fotky
TPH2900ENH,L1Q Cena
TPH2900ENH,L1Q Nabídka
TPH2900ENH,L1Q Nejnižší cena
TPH2900ENH,L1Q Vyhledávání
TPH2900ENH,L1Q Nákup
TPH2900ENH,L1Q Chip