TPH2R506PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Číslo dílu
TPH2R506PL,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSIX-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOP Advance (5x5)
Ztráta energie (max.)
132W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5435pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40444 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH2R506PL,L1Q
TPH2R506PL,L1Q Elektronické komponenty
TPH2R506PL,L1Q Odbyt
TPH2R506PL,L1Q Dodavatel
TPH2R506PL,L1Q Distributor
TPH2R506PL,L1Q Datová tabulka
TPH2R506PL,L1Q Fotky
TPH2R506PL,L1Q Cena
TPH2R506PL,L1Q Nabídka
TPH2R506PL,L1Q Nejnižší cena
TPH2R506PL,L1Q Vyhledávání
TPH2R506PL,L1Q Nákup
TPH2R506PL,L1Q Chip