TPH8R80ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Číslo dílu
TPH8R80ANH,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOP Advance (5x5)
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta), 61W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8531 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH8R80ANH,L1Q
TPH8R80ANH,L1Q Elektronické komponenty
TPH8R80ANH,L1Q Odbyt
TPH8R80ANH,L1Q Dodavatel
TPH8R80ANH,L1Q Distributor
TPH8R80ANH,L1Q Datová tabulka
TPH8R80ANH,L1Q Fotky
TPH8R80ANH,L1Q Cena
TPH8R80ANH,L1Q Nabídka
TPH8R80ANH,L1Q Nejnižší cena
TPH8R80ANH,L1Q Vyhledávání
TPH8R80ANH,L1Q Nákup
TPH8R80ANH,L1Q Chip