Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Číslo dílu
TPN4R712MD,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVI
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26105 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPN4R712MD,L1Q
TPN4R712MD,L1Q Elektronické komponenty
TPN4R712MD,L1Q Odbyt
TPN4R712MD,L1Q Dodavatel
TPN4R712MD,L1Q Distributor
TPN4R712MD,L1Q Datová tabulka
TPN4R712MD,L1Q Fotky
TPN4R712MD,L1Q Cena
TPN4R712MD,L1Q Nabídka
TPN4R712MD,L1Q Nejnižší cena
TPN4R712MD,L1Q Vyhledávání
TPN4R712MD,L1Q Nákup
TPN4R712MD,L1Q Chip