TPW1R306PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Číslo dílu
TPW1R306PL,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSIX-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-DSOP Advance
Ztráta energie (max.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54132 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPW1R306PL,L1Q
TPW1R306PL,L1Q Elektronické komponenty
TPW1R306PL,L1Q Odbyt
TPW1R306PL,L1Q Dodavatel
TPW1R306PL,L1Q Distributor
TPW1R306PL,L1Q Datová tabulka
TPW1R306PL,L1Q Fotky
TPW1R306PL,L1Q Cena
TPW1R306PL,L1Q Nabídka
TPW1R306PL,L1Q Nejnižší cena
TPW1R306PL,L1Q Vyhledávání
TPW1R306PL,L1Q Nákup
TPW1R306PL,L1Q Chip