TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Číslo dílu
TPW4R008NH,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-DSOP Advance
Ztráta energie (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41452 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPW4R008NH,L1Q
TPW4R008NH,L1Q Elektronické komponenty
TPW4R008NH,L1Q Odbyt
TPW4R008NH,L1Q Dodavatel
TPW4R008NH,L1Q Distributor
TPW4R008NH,L1Q Datová tabulka
TPW4R008NH,L1Q Fotky
TPW4R008NH,L1Q Cena
TPW4R008NH,L1Q Nabídka
TPW4R008NH,L1Q Nejnižší cena
TPW4R008NH,L1Q Vyhledávání
TPW4R008NH,L1Q Nákup
TPW4R008NH,L1Q Chip