Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPWR8503NL,L1Q

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Číslo dílu
TPWR8503NL,L1Q
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-DSOP Advance
Ztráta energie (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37196 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TPWR8503NL,L1Q
TPWR8503NL,L1Q Elektronické komponenty
TPWR8503NL,L1Q Odbyt
TPWR8503NL,L1Q Dodavatel
TPWR8503NL,L1Q Distributor
TPWR8503NL,L1Q Datová tabulka
TPWR8503NL,L1Q Fotky
TPWR8503NL,L1Q Cena
TPWR8503NL,L1Q Nabídka
TPWR8503NL,L1Q Nejnižší cena
TPWR8503NL,L1Q Vyhledávání
TPWR8503NL,L1Q Nákup
TPWR8503NL,L1Q Chip