Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPH3202LD
MOSFET N-CH 600V 9A PQFN
Číslo dílu
TPH3202LD
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-PowerDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (8x8)
Ztráta energie (max.)
65W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
VGS (max.)
±18V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41433 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH3202LD
TPH3202LD Elektronické komponenty
TPH3202LD Odbyt
TPH3202LD Dodavatel
TPH3202LD Distributor
TPH3202LD Datová tabulka
TPH3202LD Fotky
TPH3202LD Cena
TPH3202LD Nabídka
TPH3202LD Nejnižší cena
TPH3202LD Vyhledávání
TPH3202LD Nákup
TPH3202LD Chip