Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPH3206LDGB
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
Číslo dílu
TPH3206LDGB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-PowerDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (8x8)
Ztráta energie (max.)
81W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
VGS (max.)
±18V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10376 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH3206LDGB
TPH3206LDGB Elektronické komponenty
TPH3206LDGB Odbyt
TPH3206LDGB Dodavatel
TPH3206LDGB Distributor
TPH3206LDGB Datová tabulka
TPH3206LDGB Fotky
TPH3206LDGB Cena
TPH3206LDGB Nabídka
TPH3206LDGB Nejnižší cena
TPH3206LDGB Vyhledávání
TPH3206LDGB Nákup
TPH3206LDGB Chip