Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPH3208LDG
MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
Číslo dílu
TPH3208LDG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-PowerDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (8x8)
Ztráta energie (max.)
96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
VGS (max.)
±18V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14520 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH3208LDG
TPH3208LDG Elektronické komponenty
TPH3208LDG Odbyt
TPH3208LDG Dodavatel
TPH3208LDG Distributor
TPH3208LDG Datová tabulka
TPH3208LDG Fotky
TPH3208LDG Cena
TPH3208LDG Nabídka
TPH3208LDG Nejnižší cena
TPH3208LDG Vyhledávání
TPH3208LDG Nákup
TPH3208LDG Chip