Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPH3208LSG
MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Číslo dílu
TPH3208LSG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-PowerDFN
Dodavatelský balíček zařízení
3-PQFN (8x8)
Ztráta energie (max.)
96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
VGS (max.)
±18V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24185 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH3208LSG
TPH3208LSG Elektronické komponenty
TPH3208LSG Odbyt
TPH3208LSG Dodavatel
TPH3208LSG Distributor
TPH3208LSG Datová tabulka
TPH3208LSG Fotky
TPH3208LSG Cena
TPH3208LSG Nabídka
TPH3208LSG Nejnižší cena
TPH3208LSG Vyhledávání
TPH3208LSG Nákup
TPH3208LSG Chip