Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPH3208PS
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Číslo dílu
TPH3208PS
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
VGS (max.)
±18V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48712 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH3208PS
TPH3208PS Elektronické komponenty
TPH3208PS Odbyt
TPH3208PS Dodavatel
TPH3208PS Distributor
TPH3208PS Datová tabulka
TPH3208PS Fotky
TPH3208PS Cena
TPH3208PS Nabídka
TPH3208PS Nejnižší cena
TPH3208PS Vyhledávání
TPH3208PS Nákup
TPH3208PS Chip