Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
Číslo dílu
IRFD020PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46117 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD020PBF
IRFD020PBF Elektronické komponenty
IRFD020PBF Odbyt
IRFD020PBF Dodavatel
IRFD020PBF Distributor
IRFD020PBF Datová tabulka
IRFD020PBF Fotky
IRFD020PBF Cena
IRFD020PBF Nabídka
IRFD020PBF Nejnižší cena
IRFD020PBF Vyhledávání
IRFD020PBF Nákup
IRFD020PBF Chip