Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD113PBF
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Číslo dílu
IRFD113PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44668 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD113PBF
IRFD113PBF Elektronické komponenty
IRFD113PBF Odbyt
IRFD113PBF Dodavatel
IRFD113PBF Distributor
IRFD113PBF Datová tabulka
IRFD113PBF Fotky
IRFD113PBF Cena
IRFD113PBF Nabídka
IRFD113PBF Nejnižší cena
IRFD113PBF Vyhledávání
IRFD113PBF Nákup
IRFD113PBF Chip