Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD9120
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
Číslo dílu
IRFD9120
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25110 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD9120
IRFD9120 Elektronické komponenty
IRFD9120 Odbyt
IRFD9120 Dodavatel
IRFD9120 Distributor
IRFD9120 Datová tabulka
IRFD9120 Fotky
IRFD9120 Cena
IRFD9120 Nabídka
IRFD9120 Nejnižší cena
IRFD9120 Vyhledávání
IRFD9120 Nákup
IRFD9120 Chip