Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD9210PBF
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Číslo dílu
IRFD9210PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23394 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD9210PBF
IRFD9210PBF Elektronické komponenty
IRFD9210PBF Odbyt
IRFD9210PBF Dodavatel
IRFD9210PBF Distributor
IRFD9210PBF Datová tabulka
IRFD9210PBF Fotky
IRFD9210PBF Cena
IRFD9210PBF Nabídka
IRFD9210PBF Nejnižší cena
IRFD9210PBF Vyhledávání
IRFD9210PBF Nákup
IRFD9210PBF Chip