Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD9220PBF
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
Číslo dílu
IRFD9220PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
560mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38341 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD9220PBF
IRFD9220PBF Elektronické komponenty
IRFD9220PBF Odbyt
IRFD9220PBF Dodavatel
IRFD9220PBF Distributor
IRFD9220PBF Datová tabulka
IRFD9220PBF Fotky
IRFD9220PBF Cena
IRFD9220PBF Nabídka
IRFD9220PBF Nejnižší cena
IRFD9220PBF Vyhledávání
IRFD9220PBF Nákup
IRFD9220PBF Chip