Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFDC20PBF
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Číslo dílu
IRFDC20PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFDC20PBF
IRFDC20PBF Elektronické komponenty
IRFDC20PBF Odbyt
IRFDC20PBF Dodavatel
IRFDC20PBF Distributor
IRFDC20PBF Datová tabulka
IRFDC20PBF Fotky
IRFDC20PBF Cena
IRFDC20PBF Nabídka
IRFDC20PBF Nejnižší cena
IRFDC20PBF Vyhledávání
IRFDC20PBF Nákup
IRFDC20PBF Chip